Samsung ha anunciado el inicio la producción de chips con un proceso de 3 nanómetros (nm) gracias a la implementación de la arquitectura de transistores ‘Gate–All–Around’ (GAA), que mejora la eficiencia energética
La tecnología de apilamiento GAA a la que ha recurrido Samsung emplea nanoláminas con canales más anchos en lugar de nanocables con canales más estrechos para hacer transistores, un diseño con el que mejora la eficiencia energética y el rendimiento.
La aplicación de MBCFET en la fabricación de semiconductores permite producir transistores de 3nm que, en el caso de la primera generación y respecto al proceso de litografía de 5nm reduce el consumo energético en un 45 por ciento y mejora el rendimiento en 23 por ciento. El área de la superficie también se reduce en un 16 por ciento.
Fuente: Agencia de Noticias
